ЂУРИЋ, Зоран

ЂУРИЋ, Зоран, инжењер електротехнике, универзитетски професор (Прилипац код Пожеге, 23. II 1941). Електротехнички факултет у Београду, одсек Техничке физике, завршио је 1964. На истом факултету је 1967. магистрирао и 1972. одбранио докторску дисертацију. Од дипломирања је запослен у Институту за хемију, технологију и металургију (ИХТМ), где је биран у сва научна звања, а у звање научног саветника 1989. Оснивач је и први, дугогодишњи директор Центра за микроелектронске технологије (ЦМТ) ИХТМ-а, где је био руководилац послова у вези са микроелектроником, оптоелектроником, микро- и наносистемима и сензорима. Упоредо с радом у ИХТМ-у, био је ангажован на ЕТФ-у у Београду као ванредни професор од 1985, а од 1990. као редовни професор, за предмете из области физичке електронике. Дуго је био гостујући професор на Техничком универзитету у Бечу где је држао предавања из предмета Микроелектромеханички сензори и Микромашине. Усавршавао се на Државном универзитету Мичиген, САД (1980) и Универзитету Јужне Калифорније у Лос Анђелесу, САД (1987). За дописног члана Одељења техничких наука САНУ изабран је 2003, а за редовног 2012. Био је председник Академијског одбора „Природни и техничко-технолошки ресурси Србије". Од 2011. радио је као директор Института техничких наука САНУ. Био је члан Академије инжењерских наука Србије (АИНС) од њеног оснивања 1998, дугогодишњи секретар Одељења електротехничких наука АИНС, као и члан светског Удружења инжењера електротехнике IEEE. Биће упамћен као родоначелник београдске микро- и опто-електронске школе и утемељивач теорије и технологије израде полупроводничких направа и микроелектромеханичких структура (МЕМС) и сензора у нашој земљи. Учествовао је у развоју првих југословенских соларних ћелија (1964), силицијумског планарног транзистора (1967), интегрисаног кола (1969), MOS транзистора с ефектом поља (1970), MEMS сензора притиска (1983). Његови научни радови имали су пионирски карактер у нашој земљи и шире: и M. Smiljanić, D. Tjapkin, „p-n transition capacitance", Solid State Electronics, 1971, 14; и Ž. Spasojević, D. Tjapkin, „Electron ground state in the semiconductor inversion layer and low frequency MIS capacitance", Solid State Electronics, 1976, 19 (претеча проблематике суперрешетки и квантних јама код нас); и J. Piotrowski „Generalized-Model of the Isothermal Vapor-Phase Epitaxy of (Hg, Cd)Te", Applied Physics Letters, 1987, 21; „Noise Sources in Microelectromechanical Systems", Microelectronics Reliability, 2000, 40 (6); и O. Jakšić, D. Ranđelović, „Adsorption-Desorption Noise in Micromechanical Resonant Structures", Sensors and actuators A. Physical, 2002, 96 (2--3). Руководио је многим истраживањима, пројектима технолошког развоја и пројектима рађеним за војску и привреду, који су резултовали развојем технологија у ЦМТ-у и низа производа, укључујући загревне слојеве на бази SnO2, хлађене InSb детекторе инфрацрвеног зрачења, Si PIN фотодиоде, Si пиезоотпорне МЕМС сензоре притиска и индустријске трансмитере притиска, нивоа течности и температуре. Био је независни експерт-евалуатор пројеката ЕУ у области информационих и комуникационих технологија, микро и наносистема и минијатуризованих паметних сензора и система, међународни рецензент за пројекте Research Grant Council-a из Хонг Конга, рецензент више међународних научних часописа и члан одбора већег броја националних и међународних научних скупова.

ЛИТЕРАТУРА: М. Вукобратовић (ур.), Акаде-мија инжењерских наука Србије и Црне Горе, 64, Бг 2005; Д. Тјапкин, М. Смиљанић, З. Јакшић, „Један осврт на историјат секције за микроелектронику и оптоелектронику у оквиру ЕТРАН-а", Зборник радова 50. конференције за ЕТРАН, Бг, 6--8. VI 2006, IV.

К. Радуловић