БУГАРИНОВИЋ, Ђорђе

БУГАРИНОВИЋ, Ђорђе, физичар, пуковник (Бијељина, 1. IV 1931). Као војни стипендиста послат у Љубљану, где је 1958. завршио Технички факултет. С чином поручника Југословенска народна армија га је 1958. прекомандовала у београдски Војно-технички институт, где је радио до пензионисања 1991. За потребе ЈНА радио у областима полупроводника и ласера. Под његовим руководством развијене су технологије израде монокристала GaAs, InAs, GaSb, InSb, GaP, HgCdTe, CdZnTe, YAG-а, рубина, сафира. Радио и на епитаксијалним слојевима хомо- и хетеро- структура GaAs-GaAs и Ge-GaAs. Учествовао у освајању технологије израде компонената као што су тачкасте и слојне диоде, микроталасне диоде, планарни транзистори, силицијумске сунчане ћелије, Пелтијеови елементи, монолитна интегрисана кола, силицијумске ПИН фотодиоде, као и више врста ИЦ детектора у опсегу 2--16 μm. Руководио пројектима за развој ласерских компоненти, пре свега кристала за ласере и оптичког пумпања. Поред текућих руководећих војних послова успео је да ради и у области физике полупроводника бинарних једињења. Из те области је на Електротехничком факултету у Београду одбранио докторску дисертацију Прилог проучавању полупроводника А3 Б5 и њихових чврстих раствора (Бг 1978). На ЕТФ и Природно-математичком факултету у Београду држао наставу студентима и последипломцима из физике чврстог стања и физичке оптике. Одликован највишим војним одликовањима, а добитник је и награде Друштва за електронику, телекомуникације, аутоматику и нуклеарну технику -- ЕТАН (1960), као и колективне Седмојулске награде (1963) за успешно освајање полупроводничке технологије у нашој земљи.

ДЕЛА: и В. Цвекић, В. Хајдер, „Тунел диода", VIII конференција ЕТАН-а, Зг 1963; „Influence of Effective Charges on X5^U^ and L3^V^ in Crystals with a Sphalerite Structure", J. Phys. Chem. Solids, 1977, 38.

Д. Пантелић